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2016 特殊儀器、重要儀器系統、關鍵元組件與關鍵軟體產出

重要儀器系統、關鍵元組件與關鍵軟體產出:

儀器系統/關鍵元組件/關鍵軟體 說明
蒸氣壓量測系統

在原子層沉積系統 (ALD) 的製程中,前驅物與製程氣體會一同被導入實驗腔體內進行化學反應,而所產生的化學物質將會吸附於基板的表面,進而形成一道薄膜。為準確地控制薄膜的厚度,需要先了解前驅物的化學特性(蒸氣壓),以決定各項參數的大小。此時,便可利用此蒸氣壓量測系統來建立未知前驅物的溫度壓力曲線。
即時真空腔體粉塵量測模組

於半導體製程中,製程設備潔淨度一向是影響產品良率的重要因素之一,相較一般在製程完成後才進行粉塵量測,目前研發的真空腔體粉塵量測模組可作為 ALD 製程中可能產生之粉塵的即時監控系統,可更有效地分析粉塵來源與形成機制,進而研擬減低粉塵的方法。
真空腔體用顯微觀測機構

完成開發真空腔體用顯微觀測機構,可同時搭配樣品電性量測系統與氣體注入及流量控制系統,進行微奈米樣品相關性質量測。可在真空環境或不同氣體成份壓力下,同時進行微奈米樣品電性及光學性質量測。
新型光度計

本系統由儀器科技研究中心獨立開發完成,具備低成本、體積小及可攜式之優勢。系統結合插卡式架構設計,輕易置換相對應波長之 LED 光源,並可手動調整發光強度,可初步量測待測液體成分、以及其螢光特性。此外,系統提供 Android 系統智慧型裝置 APP 操控程式,透過藍芽無線介面,能夠輕易操控此光度計,並獲取與儲存量測結果。程式亦具備數據分析功能,提供使用者於實驗過程中,動態計算實驗數據的相依性。
可攜式皮膚血氧影像檢測系統

完成以紅光與紅外光作為皮膚影像擷取之激發光源,並針對所擷取之影像進行影像光強度分析以評估皮膚血氧濃度。可快速提供大面積之皮膚血氧濃度分佈資訊,並可進行皮下瘀血評估分析。
細胞培養用四通道恆溫控制系統

本系統用於生醫領域,在需要在顯微鏡下長時觀測細胞活動時,提供一個可供活體細胞存活之環境。典型的活體細胞培養系統必須考慮到維生環境參數的控制,其中又以溫度與二氧化碳濃度控制最為重要。本案中設計出藍芽通訊型的細胞培養用控溫模組,模組中包含藍芽 PID 溫控模組、氣體加濕瓶、控溫載台、控溫玻璃上蓋,透過商用平版電腦遠端設定恆溫條件,並且可記錄組件溫度變化歷程。
高溫型真空熱循環系統

鋼材在高溫疲勞的最佳測試系統。溫度週期變化對鋼材硬度的變化特性測試,模擬測試環境多樣性選擇具備真空條件,多重氣體環境同時可以加入低溫油淬或水淬測試條件。高溫型真空熱循環系統具備高溫加熱與真空環境同時有低溫淬煉特性,測試條件內加入即時監控功能,觀察材料變化特性。
193 nm 深紫外波段抗反射膜

完成次世代深紫外波段專用、可監控、穩定膜鍍率之先進光學鍍膜系統建置,並提供產業界進行試量產 (最大鍍膜口徑 12 吋、薄膜厚度飄移率 < 3% 與穿透率 >92% @ 193 nm)。透過光學薄膜設計與材料光學參數的優化,製鍍幾乎沒有吸收特性的 DUV 波段 (193 nm) 的抗反射膜,並藉由此技術,提供國內半導體先進曝光機所需之光學組件,落實半導體元件在地化,並降低製造成本、提升產品價值。
深紫外與高硬度薄膜濺鍍設備與製程開發

利用非平衡濺鍍槍因磁力線可向外延伸之效應,而建立封閉式電漿濺鍍系統,此濺鍍系統可產生四個電漿區,因此基板、濺鍍出之靶材粒子及反應氣體都會在電漿壟罩中,所以此系統有極佳之反應能力。藉由此高密度電漿對沉積中的薄膜進行離子轟擊,除了可降低基材的溫度外,也可提高薄膜緻密度、附著力,此系統非常適合應用於硬膜、及高品質的光學膜,是非常值得深入研究的技術。
曝光機 248 nm 紫外波段反射鏡

離子助鍍的工作電壓、電流的大小對膜層的改善很有關係,對成長的膜原子撞擊使對膜質的改善,包括薄膜的光譜特性特別穩定、減少吸水性、提升折射率及降低粗糙度,這是因為離子助鍍後,膜堆積密度 (packing density) 升高,膜的堆積變得更縝密,因此吸水量變小,光譜特性也因此不會漂移,折射率變大且穩定,如此進行薄膜製鍍時,方能使曝光機的反射鏡在 UV 波段範圍進行工作。
主動式基因轉殖儀

依照委託廠商需求,進行客制化儀器研製,包括機構設計、電路設計與外觀設計,本儀器可進行基因轉殖程序,並具有六組獨立模組,同步可進行六組程序,並可輕易轉換 6 well 版本或 12 well 版本,上蓋使用透明設計,可供觀測轉殖過程,亦可進行後續與雷射輔助模組結合,進行儀器升級。
準直儀

準直儀提供平行光,為所有光學量測儀器的基準,舉凡干涉儀、MTF 儀及對心機等等,均以準直儀為基準,搭配種種光源及量測設施,對鏡片或鏡組進行面精度、有效焦長、調制轉換函數 (MTF)、鏡片或鏡組的偏心等等各項光學品質量測。本準直儀係依照本中心光機鏡頭模組定心系統需求,進行客製化準直儀研製,包括光學設計、機構設計,本準直儀可搭配雷射光源與成像感測器,組成自準直儀,進行鏡片或鏡組偏心量測。搭配檢測軟體可檢測導軌真直度、定位平台精度以及平面鏡平行度等,應用範圍廣。
晶片六面瑕疵檢測系統

目前市場上並未存有可進行晶片六面視覺檢測的系統與封裝機台,本研發計畫的系統架構主要是採取以一組置於晶片校準器 (preciser) 上方的高解析光機取像模組及五組取放頭吸住多顆晶片的同步移動與取像的架構,分別對不同晶片的正面、背面及四個側面進行同步取像與瑕疵檢測。需較多檢測解算時間的晶片正面與背面取像則設置於第一與第二取像站位,系統可在每個晶片完成最後一個側面的取像與檢測之後,即時完成晶片品質的判定,使得系統具有高效能的即時檢測之特點。
晶背瑕疵檢測系統

系統採用低幾何形變之高性能線掃描光機取像裝置 (含低功耗高照度之 LED 光源模組) 及二值化邊緣像素統計分佈法,進行晶片之取像及瑕疵之偵測與尺寸解算,故檢測系統具有:(1) 可在受檢晶片封裝的運送過程中取得待測之長晶片影像,不需停頓取像 (2) 每一晶片對應一幅影像,不需影像幾何校正與拼接,可大幅縮減處理時間,(3) 基於影像邊緣像素統計分佈演算法,可提高瑕疵檢測的精度與效率等特點。
12 吋直接電容式耦合電漿模組開發

以自行開發之 12 吋遠程電容式耦合電漿輔助原子層沉積系統 (Remote CCP-ALD) 為基礎,重新設計其電漿模組,由遠程電漿修改為直接電漿 (Direct plasma),Direct plasma 可提高電漿處理效果,幫助前驅物分子斷鍵進行反應。此外因電漿模組與上蓋導氣盤結合,故日後僅需更換上蓋即可更換不同電漿型式,使設備更有彈性,有助於新世代關鍵製程開發。

更新日期:2017 年 3 月 22 日