光學薄膜製程及檢測技術

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研究目的:

本中心以超高真空系統核心技術為基礎，開發出背景壓力達1×10-9  Torr，可進行III-V族氮化物薄膜磊晶之電漿輔助化學束磊晶系統。此系統結合MBE法及MOCVD法之優點，有助於量產製程的實現，並提供高品質的III-V族氮化物薄膜。

技術能量:

1.III-V 族氮化物磊晶片成長

2.低維度光電材料製備

3.in-situ即時監控磊晶成長

 

規      格:

1.真空度:  10-5  ~  10-9  Torr

2.加熱溫度: 350 oC   ~   1100 oC

3.基板尺寸: 3"

 

應用領域:

1.高速、高功率電子元件

2.固態照明設備

3.光學式高密度資訊儲存

4.太陽能電池

　

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